全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输（MT/s）；与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG
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瑞萨 DDR5 MRDIMM 内存接口芯片组
10 月 30 日消息，芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录，由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩，通过液态氮极限超频技术，创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存，搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下：此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 内存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出两款内置时钟驱动器的全新类型内存，即 Crucial® 英睿达™ DDR5 时钟驱动器无缓冲双列直插式内存模块 (CUDIMM) 和时钟驱动器小型双列直插式内存模块 (CSODIMM)，并已开始批量出货。这两款全新内存均符合 JEDEC 标准，运行速度高达 6,400MT/s，是 DDR4 的两
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美光 时钟驱动器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
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三星 内存 DDR5
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10纳米级 DDR5 DRAM
随着游戏要求越来越高，DDR4 和 DDR5 内存之间的差距不断扩大。
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DDR4 DDR5
近日，美光科技宣布在业界率先验证并出货基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达5600MT/s。据介绍，该款128GB DDR5 RDIMM内存采用美光行业领先的1β（1-beta）制程技术，相较于采用3DS硅通孔（TSV）技术的竞品，容量密度提升45%以上，1能效提升高达22%，2延迟降低高达16%1。该款高速率内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMD
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DRAM芯片 美光科技 DDR5
5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席产品官 Jeff Wittich 近日接受采访时表示，将于今年晚些时候推出 AmpereOne-2，配备 12 个内存通道，改进性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 内存控制器数量将增加 33%，内存带宽将增加多达 50%。此外该公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，计划在 2025 年发布，拥有 256 个核心，采用台积电的 3nm（3N）工艺蚀刻。附上路线图如下：AmpereOne-3 将采用改进后的
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AmpereOne-3 芯片 256核 PCIe 6.0 DDR5
2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
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三星 32Gb DDR5 内存芯片
内存产业复苏明确，包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司，去年12月营收呈现月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产，为内存市况投下变量。海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产，国内存储器厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高带宽内存）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。TrendForc
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DDR5 HBM 内存 TrendForce
随着PC与服务器领域平台不断推陈出新，DDR5日益受到市场青睐。除了原厂持续布局外，近期威刚、十铨科技、宇瞻等模组厂商亦积极投入DDR5，并持续看好这类产品后续发展。威刚对外表示，现阶段观察到存储市场需求端主要来自于PC，客户需求明显好转，且随着PC存储器容量提升，预期明年上半年DDR5将会超越DDR4，形成黄金交叉。以目前现货市场来看，DDR5单价较DDR4高四至五成，对威刚而言，DDR5比重提升，有助毛利率表现。产品布局方面，威刚DDR5主攻电竞市场，已推出LANCER
BLADE RGB DDR
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存储模组 DDR5
今年以来，ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨，加上PC与服务器领域平台不断推陈出新，HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐，存储器大厂不约而同积极布局上述产品。DDR5：美光发布新品、三星计划扩大产线当前DDR5制程已经来到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200
MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外，该款DDR5内存采用先进的High-K
CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高
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存储器 DDR5 HBM
如今，无论是 PC、笔记本电脑还是人工智能，各行业正在加速向 DDR5 新纪元迈进。今年，生成式 AI 市场蓬勃发展，用于大模型应用的 AI 服务器大力推动了对 DDR5 的需求。随着内存市场需求的回暖，内存芯片供应商们已着手在今年第四季度全面拉高 DDR5 产能。那么，DDR5 究竟有哪些优势？以及它如何成为未来存储市场的焦点？DDR3、DDR4 再到 DDR5在过去的十多年，DDR3 内存是服务器中常用的内存标准，其时钟频率通常从 800MHz 到 2133MHz 不等，适用于小型企业和办公环境等，随
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DDR5 北京君正 澜起科技
美光的新一代内存，目前已出货给数据中心及PC客户。美光1β DDR5 DRAM可扩大运算能力，并以更高效能辅佐数据中心及客户端平台，支持AI训练及推论、生成式AI、数据分析、内存数据库等。美光推出的16Gb DDR5内存，以其领先1β制程节点技术，美光1β DDR5 DRAM的内建系统功能速率可达7,200MT／s，相较于前一代产品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM产品，在现有模块化密度中，速率可达4,800MT／s至7,200MT／s，适用于数据中心及客户端应用。
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美光 高速内存 DDR5
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