Vishay新款150V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
—— TrenchFET器件采用PowerPAK SO-8S封装，RthJC低至0.45℃CW，ID高达144 A，从而提高功率密度
英飞凌汽车电子生态圈
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极电流增加了179 %。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202411/464766.htm日前发布的器件具有业内先进的导通电阻（10 V 时为 5.6 mW）以及导通电阻和栅极电荷乘积FOM（336 mW*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此，设计人员能够提高效率，满足下一代电源的要求，例如6 kW AI服务器电源系统。此外，PowerPAK SO-8S封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达144 A的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的SOA能力。
SiRS5700DP非常适合同步整流、DC/DC转换、热插拔开关和OR-ing功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储；通信电源；太阳能逆变器；电机驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封装。
SiRS5700DP现可提供样品并已实现量产。关于订货周期信息，请联系您当地的销售办事处。
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